Hallo Pipe,
"Also die Mosfets gehen oder gehen nicht! Halbe Sachen gibts da nicht!..."
tut mir leid, dass ich Dich da korrigieren muss, aber das ist FALSCH.
Der entscheidende Faktor bei den MOSFETs bezüglich der Bose-Endstufen ist der Bahnwiderstand im durchgeschalteten Zustand, auch RDS-ON genannt. Anhand der Erfahrungen heraus, die ich bei der Reparatur von mittlerweile über fünfzig Bose-Endstufen heraus gesammelt habe, und ausserdem anhand von messtechnischen Untersuchungen einzelner Endstufen hat sich eindeutig nachweisen lassen, dass sich die MOSFETs bei defekten Endstufen häufig in dem Sinne verschlechtert haben, dass der RDS-ON nennenswert angestiegen ist.
Das dies so ist kann man auch daran erkennen, dass es viele Endstufen gibt, die irgendwann "aufbrennen". Dies passiert häufig dadurch, dass einer der MOSFETs abraucht.
Bei digitalen Endstufen ist es prinzipbedingt so, dass die beteiligten im Schaltbertrieb arbeitenenden Transistoren entweder durchgeschaltet haben oder komplett geschlossen. Im durchgeschalteten Zustand fliesst viel Strom, aber es fällt aufgrund des sehr niedrigen RDS-ON so gut wie keine Spannung an dem jeweiligen MOSFET ab. Somit wird auch so gut wie keine Verlustleistung am MOSFET erzeugt. Sperrt der MOSFET, dann fällt viel Spannung an ihm ab, es fliesst aber, abgesehen von zu vernachlässigbaren Leckströmen, kein Strom. Es wird also wieder so gut wie keine Verlustleistung erzeugt. Verschlechtert sich jedoch der RDS-ON, so hat dies zweierlei Konsequenzen: Erstens begrenzt der zunehmende RDS-ON den Strom im durchgeschalteten Zustand. Dadurch wird die Endstufe leiser. Zweitens fällt durch den höheren Widerstand mehr Spannung an dem MOSFET ab und somit wird auch mehr Verlustleistung am MOSFET erzeugt. Das war bis hierher alles sehr theoretisch. Zur Verdeutlichung: Die Bose-Endstufen haben laut Auskunft von Bose eine sehr niedrige Impedanz. Diese soll wohl zwischen ein und zwei Ohm liegen. Der RDS-ON der verwendeten MOSFETs liegt bei ca. 70 Milliohm. Dieser Wert ist im Vergleich zu den ein bis zwei Ohm der Lautsprecher so niedrig, dass die am MOSFET erzeugte Verlustleistung sehr niedrig ist. Steigt der RDS-ON jedoch, so wird das Verhältnis immer schlechter. Wenn der RDS-ON schliesslich in den Bereich von einem Ohm kommt, dann kommt man in den Bereich, in dem die erzeugte Leistung sich je zu fünzig Prozent auf MOSFET und Lautsprecher verteilt - und daher brennen die MOSFETs auch irgendwann einmal auf.
Neben dem Problem mit dem RDS-ON bin ich mir auch sicher, dass sich der Frequenzgang der Endstufen nachhaltig verschlechtert.
Daher tausche ich die MOSFETs in der Regel immer mit, aber das kann jeder gerne für sich entscheiden.
Viele Grüsse
Maadin
P.s.: Ich hoffe, dass ich nicht zu viele Fremdworte benutzt habe. Falls doch, dann entschuldige ich mich hiermit schon mal im voraus.
